Opferschicht-Ätzverfahren und Opferschicht-Ätzstruktur sowie entsprechendes Opferschicht-Ätzstruktur-Herstellungsverfahren
Die vorliegende Erfindung schafft eine Opferschicht-Ätzverfahren und ein entsprechende Opferschicht-Ätzstruktur sowie ein entsprechendes Opferschicht-Ätzstruktur-Herstellungsverfahren. Das Opferschicht-Ätzverfahren dient zum Ätzen einer einen Funktionsbereich (F) zumindest teilweise umgebenden Opfer...
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| Format: | Patent |
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| creator | Zielke, Christian Staffeld, Peter Borwin |
| description | Die vorliegende Erfindung schafft eine Opferschicht-Ätzverfahren und ein entsprechende Opferschicht-Ätzstruktur sowie ein entsprechendes Opferschicht-Ätzstruktur-Herstellungsverfahren. Das Opferschicht-Ätzverfahren dient zum Ätzen einer einen Funktionsbereich (F) zumindest teilweise umgebenden Opferschicht-Ätzstruktur (A, B', C; A, B'', C), wobei die Opferschicht-Ätzstruktur (A, B', C; A, B'', C) mindestens einen freiliegenden Opferschichtbereich (A, C) und mindestens einen unter dem Funktionsbereich (F) zumindest teilweise vergrabenen Oferschichtbereich (B'; B'') aufweist und wobei der vergrabene Oferschichtbereich (B'; B'') eine eingelagerte Struktur (ST; ST'), die aus einem Strukturmaterial besteht, das von einem Opfermaterial des vergrabenen Opferschichtbereichs (B'; B'') verschieden ist. Es umfasst die Schritte: Durchführen eines ersten Opferschicht-Ätzschritts zum Entfernen des freiliegenden Opferschichtbereichs (A, C); und Durchführen eines zweiten Opferschicht-Ätzschritts zum Entfernen des vergrabenen Opferschichtbereichs (B'; B'') und zum gleichzeitigen Entfernen der eingelagerten Struktur (ST; ST'). Zumindest der zweite Opferschicht-Ätzschritt ist ein isotroper Ätzschritt. |
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Das Opferschicht-Ätzverfahren dient zum Ätzen einer einen Funktionsbereich (F) zumindest teilweise umgebenden Opferschicht-Ätzstruktur (A, B', C; A, B'', C), wobei die Opferschicht-Ätzstruktur (A, B', C; A, B'', C) mindestens einen freiliegenden Opferschichtbereich (A, C) und mindestens einen unter dem Funktionsbereich (F) zumindest teilweise vergrabenen Oferschichtbereich (B'; B'') aufweist und wobei der vergrabene Oferschichtbereich (B'; B'') eine eingelagerte Struktur (ST; ST'), die aus einem Strukturmaterial besteht, das von einem Opfermaterial des vergrabenen Opferschichtbereichs (B'; B'') verschieden ist. Es umfasst die Schritte: Durchführen eines ersten Opferschicht-Ätzschritts zum Entfernen des freiliegenden Opferschichtbereichs (A, C); und Durchführen eines zweiten Opferschicht-Ätzschritts zum Entfernen des vergrabenen Opferschichtbereichs (B'; B'') und zum gleichzeitigen Entfernen der eingelagerten Struktur (ST; ST'). Zumindest der zweite Opferschicht-Ätzschritt ist ein isotroper Ätzschritt.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES ; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2017</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20170720&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102016200504A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76418</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20170720&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102016200504A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Zielke, Christian</creatorcontrib><creatorcontrib>Staffeld, Peter Borwin</creatorcontrib><title>Opferschicht-Ätzverfahren und Opferschicht-Ätzstruktur sowie entsprechendes Opferschicht-Ätzstruktur-Herstellungsverfahren</title><description>Die vorliegende Erfindung schafft eine Opferschicht-Ätzverfahren und ein entsprechende Opferschicht-Ätzstruktur sowie ein entsprechendes Opferschicht-Ätzstruktur-Herstellungsverfahren. 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Zumindest der zweite Opferschicht-Ätzschritt ist ein isotroper Ätzschritt.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</subject><subject>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2017</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZKj1L0hLLSpOzshMzijRPdxSUlWWWpSWmFGUmqdQmpeigCFdXFJUml1SWqRQnF-emaqQmldSXFCUmpyRmpeSWoxbua4HULwkNSenNC-9GG4FDwNrWmJOcSovlOZmUHVzDXH20E0tyI9PLS5ITE7NSy2Jd3E1NDAyMDQzMjAwNTBxNDQmVh0AbbhOVA</recordid><startdate>20170720</startdate><enddate>20170720</enddate><creator>Zielke, Christian</creator><creator>Staffeld, Peter Borwin</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20170720</creationdate><title>Opferschicht-Ätzverfahren und Opferschicht-Ätzstruktur sowie entsprechendes Opferschicht-Ätzstruktur-Herstellungsverfahren</title><author>Zielke, Christian ; Staffeld, Peter Borwin</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102016200504A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2017</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</topic><topic>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Zielke, Christian</creatorcontrib><creatorcontrib>Staffeld, Peter Borwin</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Zielke, Christian</au><au>Staffeld, Peter Borwin</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Opferschicht-Ätzverfahren und Opferschicht-Ätzstruktur sowie entsprechendes Opferschicht-Ätzstruktur-Herstellungsverfahren</title><date>2017-07-20</date><risdate>2017</risdate><abstract>Die vorliegende Erfindung schafft eine Opferschicht-Ätzverfahren und ein entsprechende Opferschicht-Ätzstruktur sowie ein entsprechendes Opferschicht-Ätzstruktur-Herstellungsverfahren. Das Opferschicht-Ätzverfahren dient zum Ätzen einer einen Funktionsbereich (F) zumindest teilweise umgebenden Opferschicht-Ätzstruktur (A, B', C; A, B'', C), wobei die Opferschicht-Ätzstruktur (A, B', C; A, B'', C) mindestens einen freiliegenden Opferschichtbereich (A, C) und mindestens einen unter dem Funktionsbereich (F) zumindest teilweise vergrabenen Oferschichtbereich (B'; B'') aufweist und wobei der vergrabene Oferschichtbereich (B'; B'') eine eingelagerte Struktur (ST; ST'), die aus einem Strukturmaterial besteht, das von einem Opfermaterial des vergrabenen Opferschichtbereichs (B'; B'') verschieden ist. Es umfasst die Schritte: Durchführen eines ersten Opferschicht-Ätzschritts zum Entfernen des freiliegenden Opferschichtbereichs (A, C); und Durchführen eines zweiten Opferschicht-Ätzschritts zum Entfernen des vergrabenen Opferschichtbereichs (B'; B'') und zum gleichzeitigen Entfernen der eingelagerten Struktur (ST; ST'). 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