Opferschicht-Ätzverfahren und Opferschicht-Ätzstruktur sowie entsprechendes Opferschicht-Ätzstruktur-Herstellungsverfahren

Die vorliegende Erfindung schafft eine Opferschicht-Ätzverfahren und ein entsprechende Opferschicht-Ätzstruktur sowie ein entsprechendes Opferschicht-Ätzstruktur-Herstellungsverfahren. Das Opferschicht-Ätzverfahren dient zum Ätzen einer einen Funktionsbereich (F) zumindest teilweise umgebenden Opfer...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Zielke, Christian, Staffeld, Peter Borwin
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die vorliegende Erfindung schafft eine Opferschicht-Ätzverfahren und ein entsprechende Opferschicht-Ätzstruktur sowie ein entsprechendes Opferschicht-Ätzstruktur-Herstellungsverfahren. Das Opferschicht-Ätzverfahren dient zum Ätzen einer einen Funktionsbereich (F) zumindest teilweise umgebenden Opferschicht-Ätzstruktur (A, B', C; A, B'', C), wobei die Opferschicht-Ätzstruktur (A, B', C; A, B'', C) mindestens einen freiliegenden Opferschichtbereich (A, C) und mindestens einen unter dem Funktionsbereich (F) zumindest teilweise vergrabenen Oferschichtbereich (B'; B'') aufweist und wobei der vergrabene Oferschichtbereich (B'; B'') eine eingelagerte Struktur (ST; ST'), die aus einem Strukturmaterial besteht, das von einem Opfermaterial des vergrabenen Opferschichtbereichs (B'; B'') verschieden ist. Es umfasst die Schritte: Durchführen eines ersten Opferschicht-Ätzschritts zum Entfernen des freiliegenden Opferschichtbereichs (A, C); und Durchführen eines zweiten Opferschicht-Ätzschritts zum Entfernen des vergrabenen Opferschichtbereichs (B'; B'') und zum gleichzeitigen Entfernen der eingelagerten Struktur (ST; ST'). Zumindest der zweite Opferschicht-Ätzschritt ist ein isotroper Ätzschritt.