VERFAHREN ZUR BILDUNG VERGRABENER ISOLIERUNGSGEBIETE

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst:Ausbilden eines vergrabenen Isolierungsgebiets (22) innerhalb eines Substrats (10), indem das Substrat (10) unter Verwendung von Ätz- und Abscheidungsprozessen bearbeitet wird, wobei das Ausbilden des vergrabenen Isolierungsgebiets (22) ein Bilden einer Vielzahl von Öffnungen (30, 31) in dem Substrat (10) und ein Ausbilden eines Oxids innerhalb der Vielzahl von Öffnungen (30, 31) umfasst, und wobei das Ausbilden des Oxids ein Umwandeln von Gebieten des Substrats (10) zwischen Benachbarten der Vielzahl von Öffnungen (30, 31) derart umfasst, dass Oxidteile ausgehend von den Benachbarten der Vielzahl von Öffnungen lateral zusammenwachsen;Ausbilden einer Halbleiterschicht über dem vergrabenen Isolierungsgebiet (22) an einer ersten Seite des Substrats (10) ;Ausbilden von Vorrichtungsgebieten in der Halbleiterschicht;Abdünnen des Substrats (10) von einer zweiten Seite des Substrats (10) aus, um das vergrabene Isolierungsgebiet (22) freizulegen; undAusbilden eines leitfähigen Gebiets (42) an der zweiten Seite des Substrats (10). A method of fabricating a semiconductor device includes forming a buried insulation region within a substrate by processing the substrate using etching and deposition processes. A semiconductor layer is formed over the buried insulation region at a first side of the substrate. Device regions are formed in the semiconductor layer. The substrate is thinned from a second side of the substrate to expose the buried insulation region. The buried insulation region is selectively removed to expose a bottom surface of the substrate. A conductive region is formed under the bottom surface of the substrate.