VERGRABENE ISOLIERUNGSGEBIETE UND VERFAHREN ZU DEREN BILDUNG

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden eines vergrabenen Isolierungsgebiets innerhalb eines Substrats, indem das Substrat unter Verwendung von Ätz- und Abscheidungsprozessen bearbeitet wird. Über dem vergrabenen Isolierungsgebiet wird an einer ersten Seite des Substrats eine Halbleiterschicht gebildet. Vorrichtungsgebiete werden in der Halbleiterschicht geschaffen. Das Substrat wird von einer zweiten Seite des Substrats aus abgedünnt, um das vergrabene Isolierungsgebiet freizulegen. Das vergrabene Isolierungsgebiet wird selektiv entfernt, um eine untere Oberfläche des Substrats freizulegen. Unter der unteren Oberfläche des Substrats wird ein leitfähiges Gebiet ausgebildet. A method of fabricating a semiconductor device includes forming a buried insulation region within a substrate by processing the substrate using etching and deposition processes. A semiconductor layer is formed over the buried insulation region at a first side of the substrate. Device regions are formed in the semiconductor layer. The substrate is thinned from a second side of the substrate to expose the buried insulation region. The buried insulation region is selectively removed to expose a bottom surface of the substrate. A conductive region is formed under the bottom surface of the substrate.