Dreidimensionale Halbleitervorrichtung

Dreidimensionale Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist:ein Substrat (10), welches einen Zellarraybereich (CAR) und einen Verbindungsbereich (CNR) aufweist;eine Stapelstruktur (ST), welche sich von dem Zellarraybereich (CAR) in den Verbindungsbereich (CNR) hinein erstreckt, wobei die Stapelstruktur (ST) einen ersten Stapel (STR) und einen zweiten Stapel (STR) auf dem ersten Stapel (STR) aufweist, wobei jeder des ersten und zweiten Stapels (STR) sich entlang einer ersten Richtung erstreckt und eine erste Elektrode (EL1) und eine zweite Elektrode (EL2) auf der ersten Elektrode (EL1) aufweist, undKontaktstecker (PLG), welche jeweils mit den zweiten Elektroden (EL2) der ersten und zweiten Stapel (STR) verbunden sind,wobei in der ersten Richtung eine Seitenwand der zweiten Elektrode (EL2) des ersten Stapels (STR) horizontal von einer Seitenwand der zweiten Elektrode (EL2) des zweiten Stapels (STR) durch einen ersten Abstand in dem Verbindungsbereich (CNR) beabstandet ist,wobei in der ersten Richtung eine Seitenwand der ersten Elektrode (EL1) horizontal von der Seitenwand der zweiten Elektrode (EL2) durch einen zweiten Abstand in jedem des ersten und des zweiten Stapels (STR) beabstandet ist,wobei der zweite Abstand geringer ist als eine Hälfte des ersten Abstandswobei die Seitenwand der ersten Elektrode (EL1) des zweiten Stapels (STR) durch einen dritten Abstand horizontal entfernt von der Seitenwand der zweiten Elektrode (EL2) des ersten Stapels (STR) beabstandet ist,wobei der zweite Abstand in dem zweiten Stapel (STR) geringer ist als der dritte Abstand,und wobei jeder der Kontaktstecker (PLG) eine Breite größer als der zweite Abstand hat. A three-dimensional (3D) semiconductor device includes a stack structure including first and second stacks stacked on a substrate. Each of the first and second stacks includes a first electrode and a second electrode on the first electrode. A sidewall of the second electrode of the first stack is horizontally spaced apart from a sidewall of the second electrode of the second stack by a first distance. A sidewall of the first electrode is horizontally spaced apart from the sidewall of the second electrode by a second distance in each of the first and second stacks. The second distance is smaller than a half of the first distance.