Halbleitervorrichtungen

Eine Halbleitervorrichtung kann ein Paar von aktiven Strukturen (AP) beabstandet voneinander in einer ersten Richtung (D1) aufweisen, ein Paar von Gateelektroden (GE), welche das Paar der aktiven Strukturen (AP) in einer zweiten Richtung (D2), welche die erste Richtung (D1) kreuzt schneidet, Gateabstandshalter (GSP) an Seitenwänden des Paars der aktiven Strukturen (AP), Source-/Drainbereiche (SD) auf dem Paar aktiver Strukturen (AP) zwischen dem Paar der Gateelektroden (GE), und eine Abstandshalterschutzstruktur (120P1, 120P2) zwischen dem Paar der Gateelektroden (GE) und zwischen dem Paar der aktiven Strukturen (AP). Die Abstandshalterschutzstruktur (120P1, 120P2) kann gemeinsam mit den Gateabstandshaltern (GSP) verbunden sein. A semiconductor device may include a pair of active patterns spaced apart from each other in a first direction, a pair of gate electrodes intersecting the pair of the active patterns in a second direction crossing the first direction, gate spacers on sidewalls of the pair of the active patterns, source/drain regions on the pair active patterns between the pair of the gate electrodes, and a spacer protection pattern between the pair of the gate electrodes and between the pair of the active patterns. The spacer protection pattern may be commonly connected to the gate spacers.