Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterleistungsvorrichtung und Halbleiterleistungsvorrichtung mit einer Diode

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterleistungsvorrichtung mit einer Diode, wobei das Verfahren umfasst:Ausbilden einer Polysiliziumschicht über einer isolierenden Schicht (S100);isotropes Ätzen der Polysiliziumschicht (S110), wobei das Verfahren ferner ein Ausbilden dotierter Gebiete eines erste...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Tegen, Stefan
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterleistungsvorrichtung mit einer Diode, wobei das Verfahren umfasst:Ausbilden einer Polysiliziumschicht über einer isolierenden Schicht (S100);isotropes Ätzen der Polysiliziumschicht (S110), wobei das Verfahren ferner ein Ausbilden dotierter Gebiete eines ersten und eines zweiten Leitfähigkeitstyps in der Polysiliziumschicht umfasst, um die Diode zu bilden (S120); undAusbilden einer Gateelektrode der Halbleiterleistungsvorrichtung (S140, S240) nach dem Ätzen der Polysiliziumschicht.