Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschicht und Halbleiterbauelement mit elektrischer Kontaktierung

Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschicht (2) angegeben, umfassend die Schritte: a) Bereitstellen der Halbleiterschicht; b) Ausbilden einer Mehrzahl von Kontaktstäben (3) auf der Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Füllschicht (4) auf den Kontaktstäben und in Zwischenräumen (5) zwischen den Kontaktstäben; und d) Freilegen der Kontaktstäbe. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (7) mit elektrischer Kontaktierung (1) angegeben. A method for producing an electrical contact on a semiconductor layer and a semiconductor component having an electrical contact are disclosed. In an embodiment a method includes providing a semiconductor layer, forming a plurality of contact rods on the semiconductor layer, wherein the contact rods are formed by a first material and a second material, wherein the first material is applied to the semiconductor layer and the second material is applied to the first material, and wherein a lateral structure of the first material is self-organized, forming a filling layer on the contact rods and in intermediate spaces between the contact rods and exposing the contact rods.