VERFAHREN ZUM BEARBEITEN EINES WAFERS UND VERFAHREN ZUM BEARBEITEN EINES TRÄGERS

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers das Abtasten des Wafers mit einem fokussierten Laserstrahl, um eine Defektstruktur innerhalb des Wafers zu bilden, enthalten, wobei die Defektstruktur ein erstes Gebiet des Wafers, das an einer ersten Seite der Defektstruktur angeordnet ist, und ein zweites Gebiet des Wafers, das an einer zweiten Seite der Defektstruktur gegenüber der ersten Seite definiert ist, und ein Kantengebiet, das die Defektstruktur seitlich umgibt und sich von einer ersten Oberfläche des Wafers zu einer zweiten Oberfläche des Wafers gegenüber der ersten Oberfläche erstreckt, definiert. Ein Oberflächenbereich des ersten Gebiets ist größer als ein Oberflächenbereich des zweiten Gebiets und das zweite Gebiet ist mit dem ersten Gebiet durch das Kantengebiet verbunden. Das Verfahren kann ferner Trennen des ersten Gebiets und des zweiten Gebiets voneinander entlang der Defektstruktur enthalten, wobei das erste Gebiet in einem Stück bleibt. According to various embodiments, a method for processing a wafer may include scanning a focused laser beam over the wafer to form a defect structure within the wafer, the defect structure defining a first region of the wafer located at a first side of the defect structure and a second region of the wafer located at a second side of the defect structure opposite the first side, and an edge region laterally surrounding the defect structure and extending from a first surface of the wafer to a second surface of the wafer opposite the first surface. A surface area of the first region is greater than a surface area of the edge region, and the second region is connected to the first region by the edge region. The method may further include, separating the first region and the second region from each other along the defect structure, with the first region remaining in one piece.