Halbleiterbauelemente und Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements

Ein Halbleiterbauelement umfasst eine elektrisch leitfähige Kontaktanschlussflächenstruktur. Ferner umfasst das Halbleiterbauelement eine Bondstruktur. Die Bondstruktur ist zumindest an einer umschlossenen Schnittstellenregion in Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Kontaktanschlussflächenstruktur. Zusätzlich umfasst das Halbleiterbauelement eine Verschlechterungs-Präventionsstruktur, die die umschlossene Schnittstellenregion lateral umgibt. Die Verschlechterungs-Präventionsstruktur ist vertikal zwischen einem Abschnitt der Bondstruktur und einem Abschnitt der elektrisch leitfähigen Kontaktanschlussflächenstruktur angeordnet. A semiconductor device includes an electrically conductive contact pad structure. Moreover, the semiconductor device includes a bond structure. The bond structure is in contact with the electrically conductive contact pad structure at least at an enclosed interface region. Additionally, the semiconductor device includes a degradation prevention structure laterally surrounding the enclosed interface region. The degradation prevention structure is vertically located between a portion of the bond structure and a portion of the electrically conductive contact pad structure.