PCB-basiertes Halbleitergehäuse mit integrierter elektrischer Funktionalität

Halbleitergehäuse, umfassend:eine Metallbasisplatte (100) mit einem Die-Befestigungsbereich (102) und einem Randbereich (104);einen Transistor-Die (106; 608) mit einem Referenzanschluss (112), der an dem Die-Befestigungsbereich (102) befestigt ist, und einem Hochfrequenzanschluss (114), der von der Basisplatte (118) abgewandt ist; undeine Mehrschichtleiterplatte (108) mit einer ersten Seite (116), die an dem Randbereich (104) befestigt ist, und einer zweiten Seite, die von der Basisplatte (118) abgewandt ist, wobei die Mehrschichtleiterplatte (108) mehrere verschachtelte Signalschichten (136, 138) und Masseschichten (132, 134) umfasst;wobei sich eine erste Signalschicht (138) der Signalschichten an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte (108) befindet und elektrisch mit dem Hochfrequenzanschluss (114) des Transistor-Die (106; 608) verbunden ist,wobei sich eine erste Masseschicht (134) der Masseschichten unterhalb der ersten Signalschicht (138) befindet,wobei sich eine zweite Signalschicht (136) der Signalschichten unterhalb der ersten Masseschicht (134) befindet und elektrisch durch isolierte Durchkontaktierungen (148), die sich durch die erste Masseschicht (134) hindurch erstrecken, mit der ersten Signalschicht (138) verbunden ist,wobei sich eine zweite Masseschicht (132) der Masseschichten an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) befindet und an der Metallbasisplatte (100) befestigt ist. A semiconductor package includes a metal baseplate, a semiconductor die having a reference terminal attached to the baseplate and an RF terminal facing away from the baseplate, and a multilayer circuit board having a first side attached to the baseplate and a second side facing away from the baseplate. The multilayer circuit board includes a plurality of interleaved signal and ground layers. One of the signal layers is at the second side of the multilayer circuit board and electrically connected to the RF terminal of the semiconductor die. One of the ground layers is at the first side of the multilayer circuit board and attached to the metal baseplate. Power distribution structures are formed in the signal layer at the second side of the multilayer circuit board. RF matching structures are formed in a different one of the signal layers than the power distribution structures.