Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, mit den folgenden Schritten:Herstellen einer Wannenschicht (2015), die mit einem Wannendotanden und einem Co-Implantationsdotanden dotiert wird, in einem Substrat (2005), wobei das Herstellen der Wannenschicht (2015) das gleichzeitige Implantieren des Wannendotanden und des Co-Implantationsdotanden in das Substrat (2005) umfasst;Herstellen einer Halbleiterschicht (2125) auf der Wannenschicht (2015);Herstellen einer Finnenstruktur (2450) durch Strukturieren zumindest der Halbleiterschicht (2125) und der Wannenschicht (2015) derart, dass die Finnenstruktur (2450) einen Kanalbereich (2760), der die Halbleiterschicht (2125) umfasst, und einen Wannenbereich (2765), der die Wannenschicht (2015) umfasst, aufweist;Herstellen einer Trennungsisolierschicht (2555) so, dass der Kanalbereich (2760) der Finnenstruktur (2450) aus der Trennungsisolierschicht (2555) herausragt und der Wannenbereich (2765) der Finnenstruktur (2450) in die Trennungsisolierschicht (2555) eingebettet ist; undHerstellen einer Gate-Struktur über einem Teil der Finnenstruktur (2450) und der Trennungsisolierschicht (2555), wobei die Halbleiterschicht (2125) eine dotierte Siliziumschicht und/oder eine undotierte Siliziumschicht umfasst.