Bauelement zum Detektieren von UV-Strahlung und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
Es wird ein Bauelement (100) zum Detektieren von UV-Strahlung mit einem auf AlmGa1-n-mInnN mit 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m < 1 basierten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischen liegende...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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