Bauelement zum Detektieren von UV-Strahlung und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements

Es wird ein Bauelement (100) zum Detektieren von UV-Strahlung mit einem auf AlmGa1-n-mInnN mit 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m < 1 basierten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischen liegende...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Stauß, Peter, Gomez-Iglesias, Alvaro, Tollabi Mazraehno, Mohammad
Format: Patent
Sprache:ger
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