Bauelement zum Detektieren von UV-Strahlung und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements

Es wird ein Bauelement (100) zum Detektieren von UV-Strahlung mit einem auf AlmGa1-n-mInnN mit 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m < 1 basierten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischen liegende aktive Schicht (23) aufweist. Dabei ist die erste Halbleiterschicht n-dotiert, die zweite Halbleiterschicht p-dotiert und die aktive Schicht zur Erzeugung von Ladungsträgerpaaren durch Strahlungsabsorption ausgebildet. Außerdem ist der Halbleiterkörper derart ausgebildet, dass die aktive Schicht bezüglich deren Gitterkonstante relaxiert ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben. A component for detecting UV radiation and a method for producing a component are disclosed. In an embodiment a component includes a semiconductor body including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer and an intermediate active layer located therebetween, wherein the semiconductor body is based on AlmGa1-n-mInnN with 0≤n≤1, 0≤m≤1 and n+m