Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterschicht, Verfahren zum Bearbeiten eines Siliziumsubstrats und Verfahren zum Bearbeiten einer Siliziumschicht

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Bearbeiten einer Halbleiterschicht Folgendes enthalten: Erzeugen eines Ätzplasmas in einer Plasmakammer einer entfernten Plasmaquelle, wobei die Plasmakammer der entfernten Plasmaquelle mit einer Bearbeitungskammer zum Bearbeiten der Halbleiterschicht gekoppelt ist (110); Einführen des Ätzplasmas in die Bearbeitungskammer, um eine natürliche Oxidschicht von einer Oberfläche der Halbleiterschicht und höchstens eine vernachlässigbare Menge von Halbleitermaterial der Halbleiterschicht zu entfernen (120); und nachfolgend Aufbringen einer dielektrischen Schicht direkt auf die Oberfläche der Halbleiterschicht (130). According to various embodiments, a method for processing a semiconductor layer may include: generating an etch plasma in a plasma chamber of a remote plasma source, wherein the plasma chamber of the remote plasma source is coupled to a processing chamber for processing the semiconductor layer; introducing the etch plasma into the processing chamber to remove a native oxide layer from a surface of the semiconductor layer and at most a negligible amount of semiconductor material of the semiconductor layer; and, subsequently, depositing a dielectric layer directly on the surface of the semiconductor layer.