Halbleitervorrichtung mit ersten und zweiten Gateelektroden

Halbleitervorrichtung mit:einem Substrat (101; 201);einer aktiven Region (105; 205), die sich in einer ersten Richtung auf dem Substrat (101; 201) erstreckt;einer ersten Gate-Elektrode (152; 252) auf dem Substrat (101; 201), wobei die erste Gate-Elektrode (152; 252) die aktive Region (105; 205) quert und sich in einer zweiten Richtung erstreckt, wobei die erste Gate-Elektrode (152; 252) eine erste Breite (L1) in der ersten Richtung besitzt;einer zweiten Gate-Elektrode (154; 254) auf der ersten Gate-Elektrode (152; 252), wobei sich die zweite Gate-Elektrode (154; 254) in der zweiten Richtung erstreckt, wobei die zweite Gate-Elektrode (154; 254) eine zweite Breite (L2) in der ersten Richtung besitzt, wobei die zweite Breite (L2) geringer ist als die erste Breite (L1); undeiner Gate-Dielektrikumsschicht (140; 240), welche die beiden Seiten der ersten Gate-Elektrode bedeckt, wobei eine Unterseite der ersten Gate-Elektrode (152; 252) auf der Gate-Dielektrikumsschicht (140; 240) ist. Provided is a semiconductor device having first and second gate electrodes. The semiconductor device includes a substrate, an active region extending in a first direction on the substrate, a first gate electrode crossing the active region and extending in a second direction, and a second gate electrode extending in the second direction on the first gate electrode, wherein the first gate electrode has a first width in the first direction, and wherein the second gate electrode has a second width in the first direction, the second width being less than the first width.