Induktiv gekoppelte Plasmaquelle und Vakuumprozessieranlage

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein elektrisches Schwingkreisnetzwerk einer induktiv gekoppelten Plasmaquelle Folgendes aufweisen: einen elektrischen Leiter (102), welcher eine Hohlraumstruktur aufweist zum Führen von Kühlmittel durch den elektrischen Leiter (102) hindurch; einen ersten K...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Mosshammer, Steffen, Heinrich, Hans-Jürgen, Teschner, Götz, Grune, Harald, Franz, Gunter, Anderson, Jörg
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein elektrisches Schwingkreisnetzwerk einer induktiv gekoppelten Plasmaquelle Folgendes aufweisen: einen elektrischen Leiter (102), welcher eine Hohlraumstruktur aufweist zum Führen von Kühlmittel durch den elektrischen Leiter (102) hindurch; einen ersten Kondensator (104-1), welche mittels zweier Klemmen (104k) derart an den elektrischen Leiter (102) geklemmt ist, dass der erste Kondensator (104-1) und der elektrische Leiter (102) einen ersten elektrischen Schwingkreis bilden; einen zweiten Kondensator (104-2), welche mittels zweier Klemmen (104k) derart an den elektrischen Leiter (102) geklemmt ist, dass der zweite Kondensator (104-2) und der elektrische Leiter (102) einen zweiten elektrischen Schwingkreis bilden, wobei der zweite elektrische Schwingkreis mit dem ersten elektrischen Schwingkreis gekoppelt ist, wobei der erste elektrische Schwingkreis und der zweite elektrische Schwingkreis jeweils genau einen Kondensator (104-1, 104-2) aufweisen.