Leistungshalbleitereinrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Leistungshalbleitereinrichtung

Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem einen Halbleitergrundkörper aufweisenden IGBT, einem Bonddraht und mit einem Substrat, das einen auf einem elektrisch nicht leitenden Isolationskörper des Substrats angeordneten Metallschichtbereich aufweist, wobei der Bonddraht al...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Berberich, Sven
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem einen Halbleitergrundkörper aufweisenden IGBT, einem Bonddraht und mit einem Substrat, das einen auf einem elektrisch nicht leitenden Isolationskörper des Substrats angeordneten Metallschichtbereich aufweist, wobei der Bonddraht als mit Aluminium oder einer Aluminiumlegierung ummantelter Kupferdraht oder als dotierter Aluminiumdraht ausgebildet ist, wobei der IGBT zur elektrisch leitenden Kontaktierung des IGBTs eine erste Metallisierung und eine zweite Metallisierung aufweist, wobei der Halbleitergrundkörper zwischen der ersten und zweiten Metallisierung angeordnet ist, wobei der Bonddraht an die erste Metallisierung gebondet ist, wobei die zweite Metallisierung über einer Sinterschicht mit dem Metallschichtbereich des Substrats elektrisch leitend kontaktiert ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Betrieb einer Leistungshalbleitereinrichtung.