Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle, mit dem Verfahren hergestellte Solarzelle und Substratträger

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einem Heteroübergang mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines kristallinen Halbleitersubstrates eines ersten Leitungstyps; Ausbilden einer ersten amorphen, nano- und/oder mikrokristallinen Halbleiterschicht auf der Vorderseite des Halbleitersubstrates, wobei ein Vorderseitenemitters eines zweiten Leitungstyps oder eine Vorderseitenoberflächenfeldlage des ersten Leitungstyps ausgebildet wird; Ausbilden einer zweiten amorphen, nano- und/oder mikrokristallinen Halbleiterschicht auf der Rückseite des Halbleitersubstrates, wobei eine Rückseitenoberflächenfeldlage des ersten Leitungstyps oder ein Rückseitenemitters des zweiten Leitungstyps ausgebildet wird; Ausbilden einer elektrisch leitfähigen, transparenten Vorderseitenelektrodenschicht und einer elektrisch leitfähigen, transparenten Rückseitenelektrodenschicht; Ausbilden einer vorderseitigen metallischen Kontaktschichtgitterstruktur; vorderseitige PECVD-Abscheidung einer elektrisch nicht leitfähigen, transparenten dielektrischen Vorderseitendeckschicht; und Ausbilden einer Rückseitenmetallisierung. Erfindungsgemäß wird für die Abscheidung der Vorderseitendeckschicht eine oberflächenselektive PECVD-Abscheidung verwendet und die Vorderseitendeckschicht mit einer solchen Dicke abgeschieden, dass die Vorderseitendeckschicht direkt nach ihrer Schichtabscheidung, ohne zusätzliche Wärme- und/oder chemische Behandlung nur auf den die vorderseitige Kontaktschichtgitterstruktur umgebenden Bereichen, aber nicht auf der vorderseitigen Kontaktschichtgitterstruktur eine geschlossene Schicht ausbildet. A solar cell with a heterojunction is produced. A first amorphous nano- and/or microcrystalline semiconductor layer is formed on the front face of a crystalline semiconductor substrate to form front face emitter or a front face surface field layer. A second such layer is formed on the rear face of the substrate to form a rear face surface field layer or a rear face emitter. Electrically conductive, transparent front face and rear face electrode layers and a frontal metallic contact layer grid structure are formed. Surface selective frontal PECVD deposition forms an electrically non-conductive, transparent dielectric front face cover layer and with such a thickness to form a closed layer directly on deposition, without additional heat and/or chemical treatment, only on the areas surrounding the frontal contact layer grid structure but not on the fron