Halbleitervorrichtung

Halbleitervorrichtung, aufweisend:ein isolierendes Substrat (1), das eine Hauptoberfläche und die andere Hauptoberfläche aufweist, welche in einer horizontalen Richtung ausgebildet sind, und das ein Verdrahtungsmuster (11, 12) auf der einen Hauptoberfläche aufweist;ein Halbleiterelement (2), das auf der einen Hauptoberflächenseite des isolierenden Substrats ausgebildet ist;eine externe Elektrode (11 bis 23, 25 bis 34), die eine elektrische Verbindung mit dem Verdrahtungsmuster oder dem Halbleiterelement hat und auf der einen Hauptoberfläche des isolierenden Substrats vorgesehen ist; undeinen Gehäusekasten (3), der das isolierende Substrat und das Halbleiterelement aufnimmt, wobei der Gehäusekasten einen Elektrodeneinführbereich (3a) auf der einen Hauptoberflächenseite des isolierenden Substrats aufweist, wobei der Elektrodeneinführbereich mindestens einen Teil eines Elektrodeneinführteils (E2) der externen Elektrode aufweist,wobei die externe Elektrode einen horizontalen Elektrodenbereich (E22) aufweist, der in der horizontalen Richtung ausgebildet ist, wobei der horizontale Elektrodenbereich (E22) ausgelegt ist, eine obere Oberfläche aufzuweisen, die Kontakt mit dem Elektrodeneinführbereich hat, wobei der horizontale Elektrodenbereich, der als ein Teil des Elektrodeneinführteils dient, in den Elektrodeneinführbereich eingeführt ist. An insertion vertical electrode region and part of a case-contact horizontal electrode region of an electrode insertion part of an external electrode is inserted and molded in an intra-case insertion region of a housing case. Inserting the case-contact horizontal electrode region, which serves as part of the electrode insertion part, in the intra-case insertion region allows the upper and lower surfaces of the case-contact horizontal electrode region to be in contact with the intra-case insertion region.