Halbleitervorrichtung

Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst Folgendes: ein Isolationssubstrat (2); ein Schaltungsmuster (3) mit einer ersten Oberfläche, die an eine erste Hauptoberfläche des Isolationssubstrats (2) gebondet ist, und einer zweiten Oberfläche entgegengesetzt zur ersten Oberfläche, an die ein Halbleiterelement gebondet ist; ein Muster (4) der hinteren Oberfläche mit einer ersten Oberfläche, die an eine zweite Hauptoberfläche des Isolationssubstrats (2) gebondet ist; und eine Wärmeableitungsplatte (1), die an eine zweite Oberfläche des Musters (4) der hinteren Oberfläche entgegengesetzt zur ersten Oberfläche des Musters (4) der hinteren Oberfläche gebondet ist. Eine Krümmung eines Eckenabschnitts (3a) des Schaltungsmusters (3) ist größer als eine Krümmung eines Eckenabschnitts (4a) des Musters (4) der hinteren Oberfläche, und der Eckenabschnitt (3a) des Schaltungsmusters (3) ist in einer Draufsicht innerhalb des Eckenabschnitts (4a) des Musters (4) der hinteren Oberfläche angeordnet. A semiconductor device according to the present invention includes: an insulating substrate; a circuit pattern having a first surface that is bonded to a first main surface of the insulating substrate and a second surface opposite to the first surface on which a semiconductor element is bonded; a back surface pattern having a first surface that is bonded to a second main surface of the insulating substrate; and a heat dissipation plate bonded to a second surface of the back surface pattern opposite to the first surface of the back surface pattern. A curvature of a corner portion of the circuit pattern is greater than a curvature of a corner portion of the back surface pattern, and the corner portion of the circuit pattern is located inside the corner portion of the back surface pattern in a plan view.