Verfahren zur Herstellung eines eingebetteten Kondensators

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, umfassend:Bilden einer Gateelektrode (102) eines Dummy-Transistorbauteils über einem Halbleitersubstrat (101), um eine erste Kondensatorelektrode eines Kondensators zu bilden;Ausbilden einer High-k-Materialschicht (108) über der und benachbart zu der Gateelektrode (102); undAusbilden einer Metallschicht (109) über der High-k-Materialschicht (108) über der und benachbart zu der Gateelektrode (102), um eine zweite Kondensatorelektrode des Kondensators zu bilden;wobei das Bilden der Gateelektrode (102) das Bilden einer Dummy-Gateelektrode, Bilden von Seitenwandabstandshaltern an Seitenwänden der Dummy-Gateelektrode, das Entfernen der Dummy-Gateelektrode, wodurch eine Öffnung umgeben durch die Seitenwandabstandshalter gebildet wird, und Füllen der Öffnung mit einem Gateelektrodenmaterial umfasst;und weiterhin umfassendBilden einer Oxidschicht (106) benachbart zu den Seitenwandabstandshaltern in einem Bereich, in dem die zweite Kondensatorelektrode zu bilden ist, vor dem Entfernen der Dummy-Gateelektrode und Ersetzen der so gebildeten Oxidschicht (106) mit einem Teil der Metallschicht (109) nach dem Füllen der Öffnung mit dem Gateelektrodenmaterial. A method of manufacturing a semiconductor device is provided, including forming a gate electrode of a dummy transistor device on a semiconductor substrate, forming a high-k material layer over and adjacent to the gate electrode and forming a metal layer on the high-k material layer over and adjacent to the gate electrode to form a capacitor.