Reversible elektronische Schutzschalterklemme
Gegenstand der Erfindung ist eine reversible elektronische Schutzschalterklemme, aufweisend * eine Strommesseinrichtung (1a) zur Messung eines Stromflusses in einem zu messenden Laststromkreis (8a, 8b), * eine Regeleinrichtung (1b) zur Steuerung des Stromflusses in dem zu messenden Laststromkreis (8...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Gegenstand der Erfindung ist eine reversible elektronische Schutzschalterklemme, aufweisend * eine Strommesseinrichtung (1a) zur Messung eines Stromflusses in einem zu messenden Laststromkreis (8a, 8b), * eine Regeleinrichtung (1b) zur Steuerung des Stromflusses in dem zu messenden Laststromkreis (8a, 8b) auf Basis eines gemessenen Stromflusses in dem zu messenden Laststromkreis (8a, 8b), * eine Schalteinrichtung (3), welche gesteuert durch die Regeleinrichtung (1b) den Strom im Laststromkreis (8a, 8b) regelt oder schaltet, * wobei die Schalteinrichtung (3) auf MOS-FET Technologie basiert und bidirektional den Strom im Lastkreis (8a, 8b) schalten kann, wobei der Schalteinrichtung hierfür mindestens zwei anti-seriell geschaltete MOS-FET Transistoren aufweist, deren jeweiliger Source-Anschluss auf einem gemeinsamen Schaltpotential liegen.
The invention relates to a reversible electronic circuit breaker terminal having the following: a current measuring device (1a) for measuring a current flow in a load current circuit (8a, 8b) to be measured, a regulating device (1b) for controlling the current flow in the load current circuit (8a, 8b) to be measured on the basis of a measured current flow in the load current circuit (8a, 8b) to be measured, and a switching device (3) which regulates or switches the current in the load current circuit (8a, 8b) in a controlled manner by means of the regulating device (1b), wherein the switching device (3) is based on MOS-FET technology and can switch the current in the load circuit (8a, 8b) in a bidirectional manner, and the switching device has at least two MOS-FET transistors connected in an anti-serial manner for this purpose, the source connection of each transistor lying at a common switch potential. |
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