Hallsensor

Hallsensor (100), aufweisend: - einen Wafer (10) mit einem ASIC; - eine für den Wafer (10) vorgesehene Isolierschicht (20), wobei die Isolierschicht (20) auf den Wafer (10) aufgebracht oder im Wafer (10) integriert ausgebildet ist; und - eine auf der Isolierschicht (20) angeordnete Hallschicht (30), wobei die Hallschicht (30) mittels eines Lasers (40) derart erwärmt worden ist, dass sie wenigstens abschnittsweise rekristallisiert ist. A method for manufacturing a Hall sensor, an insulation layer being initially applied to a wafer including an ASIC or integrated into the wafer, a Hall layer, for example, made of InSb or another III-V semiconductor material, being situated thereon, and this Hall layer being at least sectionally recrystallized with the aid of a laser. The insulation layer may be porous or may include a cavity or reflective layer for thermal protection of the ASIC.