Transistorstruktur mit verringerten parasitären ,,Seitenwand"-Eigenschaften

Es wird eine MOS-Transistorstruktur (100) zum abgestimmten Betrieb im Schwachinversions- oder Sub-Schwellenwert-Bereich (z.B. Eingangspaar von Betriebsverstärker, Komparator und/oder Stromspiegel) offenbart. Die Transistorstruktur (100) kann einen Wannenbereich (101) eines beliebigen Fremdstofftyps...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Rothleitner, Hubert
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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