Transistorstruktur mit verringerten parasitären ,,Seitenwand"-Eigenschaften

Es wird eine MOS-Transistorstruktur (100) zum abgestimmten Betrieb im Schwachinversions- oder Sub-Schwellenwert-Bereich (z.B. Eingangspaar von Betriebsverstärker, Komparator und/oder Stromspiegel) offenbart. Die Transistorstruktur (100) kann einen Wannenbereich (101) eines beliebigen Fremdstofftyps in einem Substrat (102) (einschließlich SOI) umfassen. Der Wannenbereich (101) kann sogar durch das Substrat (102) selbst dargestellt werden. Mindestens ein Transistor (104) befindet sich in dem Wannenbereich (101), wodurch die aktive Kanalzone des Transistors (104) von seitlichen Isolierungsgrenzflächen zwischen GOX (Gate-Oxid) und FOX (Feldoxid einschließlich STI - flacher Grabenisolierung) unabhängig ist. A MOS transistor structure for matched operation in weak-inversion or sub-threshold range (e.g. input-pair of operational amplifier, comparator, and/or current-mirror) is disclosed. The transistor structure may include a well region of any impurity type in a substrate (SOI is included). The well-region can even be represented by the substrate itself. At least one transistor is located in the well region, whereby the active channel-region of the transistor is independent from lateral isolation interfaces between GOX (gate oxide) and FOX (field oxide; including STI-shallow trench isolation).