Leistungshalbleiterbauelemente, Halbleiterbauelemente und ein Verfahren zum Anpassen einer Anzahl von Ladungsträgern

Ein Leistungshalbleiterbauelement (100), aufweisend:ein Halbleitersubstrat (110), aufweisend zumindest eine elektrische Struktur (112), wobei die zumindest eine elektrische Struktur (112) eine Sperrspannung von mehr als 20 V aufweist; undeine elektrisch isolierende Schichtstruktur (120), die über zumindest einem Abschnitt einer lateralen Oberfläche des Halbleitersubstrats (110) gebildet ist, wobei sich die elektrisch isolierende Schichtstruktur (120) entlang einer Randabschlussregion des Halbleitersubstrats (110) erstreckt,wobei die elektrisch isolierende Schichtstruktur (120) mehrere lokale Regionen (130) zum Speichern von Ladungsträgern einbettet, wobei die mehreren lokalen Regionen (130) in zumindest einer Richtung eine Abmessung von weniger als 200 nm aufweisen, wobei die lokalen Regionen (130) zum Speichern von Ladungsträgern der mehreren lokalen Regionen (130) zum Speichern von Ladungsträgern Nanopartikel oder Nanokristalle sind. A power semiconductor device includes a semiconductor substrate including at least one electrical structure. The at least one electrical structure has a blocking voltage of more than 20V. Further, the power semiconductor device includes an electrically insulating layer structure formed over at least a portion of a lateral surface of the semiconductor substrate. The electrically insulating layer structure embeds one or more local regions for storing charge carriers. Further, the one or more local regions includes in at least one direction a dimension of less than 200 nm.