HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINEM ERSTEN GATEGRABEN UND EINEM ZWEITEN GATEGRABEN

Halbleitervorrichtung (1000), umfassend:einen ersten Gategraben (100) und einen zweiten Gategraben (200) in einer ersten Hauptoberfläche (320) eines Halbleitersubstrats (310), wobei eine Mesastruktur (300) zwischen dem ersten Gategraben (100) und dem zweiten Gategraben (200) angeordnet ist, wobei die Mesastruktur (300) den ersten Gategraben (100) vom zweiten Gategraben (200) trennt,wobei jeder der ersten und zweiten Gategräben (100, 200) erste Abschnitte (110, 210), die in einer ersten Richtung verlaufen, und zweite Abschnitte (120, 220), die benachbarte der ersten Abschnitte (110, 210) verbinden, umfasst,wobei die zweiten Abschnitte (120) des ersten Gategrabens (100) bezüglich einer zur ersten Richtung senkrechten Ebene (115) den zweiten Abschnitten (220) des zweiten Gategrabens (200) gegenüberliegend angeordnet sind, ferner mit einer Vielzahl von Gatekontaktgräben (140), die mit dem ersten Gategraben (100) verbunden sind, sowie einer Vielzahl von in den Gatekontaktgräben (140) angeordneten Gatekontakten (415), die mit einer Gate-Elektrode (360) innerhalb des ersten Gategrabens verbunden sind, wobei ein Abstand d2zwischen benachbarten Gatekontaktgräben (140) größer als ein erster Abstand zwischen benachbarten ersten Abschnitten (110, 210) des ersten Gategrabens (100) und des zweiten Gategrabens (200) ist. A semiconductor device includes a first gate trench and a second gate trench in a first main surface of a semiconductor substrate. A mesa is arranged between the first gate trench and the second gate trench. The mesa separates the first gate trench from the second gate trench. Each of the first and second gate trenches includes first sections extending in a first direction and second sections connecting adjacent ones of the first sections. The second sections of the first gate trench are disposed opposite to the second sections of the second gate trench with respect to a plane perpendicular to the first direction.