Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur

Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur, umfassend:Bilden eines Films (150) über einem Substrat (110);Bilden einer ersten Maskenschicht (160) über dem Film (150);Bilden einer zweiten Maskenschicht (170) über der ersten Maskenschicht (160),Entfernen eines Teils der zweiten Maskensch...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Chen, Po-Zen, Chen, Yi-Hung, Chen, Yi-Jie, Liao, Keng-Ying, Tseng, Chung-Bin
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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