Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur

Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur, umfassend:Bilden eines Films (150) über einem Substrat (110);Bilden einer ersten Maskenschicht (160) über dem Film (150);Bilden einer zweiten Maskenschicht (170) über der ersten Maskenschicht (160),Entfernen eines Teils der zweiten Maskenschicht (170), um eine zweite Maske zu bilden, die einen ersten Abschnitt (162) der ersten Maskenschicht (160) freilässt;Ausführen eines Plasmaätz- und Abscheidungsprozesses, um den ersten Abschnitt (162) der ersten Maskenschicht (160) zu entfernen und eine erste Maske unter der zweiten Maske zu bilden, wobei die erste Maske (160) einen zweiten Abschnitt (152) des Films (150) nach dem Plasmaätz- und Abscheidungsprozess freilässt, und um eine durchgehende Schutzschicht (180) über Seitenwänden (164, 172) der ersten Maske (160) und der zweiten Maske (170) zu bilden;Ausdünnen der Schutzschicht (180); undnach dem Ausführen des Plasmaätz- und Abscheidungsprozesses, Entfernen des zweiten Abschnitts (152) des Films (150) unter Verwendung der ersten Maske (160) und der zweiten Maske (170) und der Schutzschicht (180) als eine Ätzmaske, um eine Ätzmaske in dem Film (150) zu bilden,wobei nach dem Plasmaätz- und Abscheidungsprozess die größte Breite (W2) der ersten Maske (160) größer ist als die Breite (W1) der zweiten Maske (170),wobei die Breite (W3) der Ätzmaske in dem Film (150) größer ist als die größte Breite (W2) der ersten Maske (160). A method for forming a semiconductor device structure is provided. The semiconductor device structure includes forming a film over a substrate. The semiconductor device structure includes forming a first mask layer over the film. The semiconductor device structure includes forming a second mask layer over the first mask layer. The second mask layer exposes a first portion of the first mask layer. The semiconductor device structure includes performing a plasma etching and deposition process to remove the first portion of the first mask layer and to form a protection layer over a first sidewall of the second mask layer. The first mask layer exposes a second portion of the film after the plasma etching and deposition process. The semiconductor device structure includes removing the second portion using the first mask layer and the second mask layer as an etching mask.