Halbleiterbauelement mit einer Abschirmstruktur

Ein Halbleiterbauelement besitzt einen Halbleiterkörper (100), der entgegengesetzte Unterseiten (102) und Oberseiten (101) aufweist, eine Oberfläche (103), die den Halbleiterkörper (100) umgibt, ein aktives Halbleitergebiet (101), das in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildet ist, ein Randgebiet, das das aktive Halbleitergebiet (110) umgibt, eine erste Halbleiterzone (121) von einem ersten Leitungstyp (n), das in dem Randgebiet (120) ausgebildet ist, und eine Randabschlussstruktur (20), die in dem Randgebiet (120) an der Oberseite (101) ausgebildet ist, und eine Abschirmstruktur (40, 50), die auf der der Unterseite (102) abgewandten Seite der Randabschlussstruktur (20) angeordnet ist. Die Abschirmstruktur (40, 50) besitzt eine Anzahl von N1 ≥ 2 ersten Segmenten (40), und eine Anzahl von N2 ≥ 1 zweiten Segmenten (50). Ein jedes der ersten Segmente (40) ist mit jedem der anderen ersten Segmente (40) und mit jedem der zweiten Segmente (50) elektrisch verbunden, und jedes der zweiten Segmente (50) besitzt einen spezifischen elektrischen Widerstand, der höher ist, als ein spezifischer elektrischer Widerstand eines jeden der ersten Segmente (40). A semiconductor device has a semiconductor body including opposing bottom and top sides, a surface surrounding the semiconductor body, an active semiconductor region formed in the semiconductor body, an edge region surrounding the active semiconductor region, a first semiconductor zone of a first conduction type formed in the edge region, an edge termination structure formed in the edge region at the top side, and a shielding structure arranged on that side of the edge termination structure facing away from the bottom side. The shielding structure has a number of N1 2 first segments and a number of N2 1 second segments. Each of the first segments is electrically connected to each of the other first segments and to each of the second segments, and each of the second segments has an electric resistivity higher than an electric resistivity of each of the first segments.