Halbleiterchip und Verfahren zum Bilden einer Chip-Anschlussfläche

Es werden ein Halbleiterchip mit unterschiedlichen Chip-Anschlussflächen und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterchips mit unterschiedlichen Chip-Anschlussflächen offenbart. Bei einigen Ausführungsbeispielen umfasst das Verfahren das Abscheiden einer Barriereschicht über einer Chipvorderseite, das Abscheiden einer Kupferschicht nach dem Abscheiden der Barriereschicht und das Entfernen eines Teils der Kupferschicht, der sich außerhalb einer ersten Chip-Anschlussflächenregion befindet, wobei ein verbleibender Abschnitt der Kupferschicht innerhalb der ersten Chip-Anschlussflächenregion eine Oberflächenschicht der Chip-Anschlussfläche bildet. Das Verfahren umfasst ferner das Entfernen eines Teils der Barriereschicht, der sich außerhalb der ersten Chip-Anschlussflächenregion befindet. A semiconductor chip with different chip pads and a method for forming a semiconductor chip with different chip pads are disclosed. In some embodiments, a semiconductor chip includes a chip front side, a first chip pad located on the chip front side, a second chip pad located on the chip front side and an electrically insulating material located between the first chip pad and the second chip pad, wherein the first chip pad includes a surface layer predominantly comprising copper and the second chip pad includes a surface layer predominantly comprising aluminum.