Integrierter Temperatursensor für diskrete Halbleiterbauelemente

Ein Halbleiter-Die enthält ein diskretes Halbleiterbauelement und wenigstens eine Diode. Die Temperatur des diskreten Halbleiterbauelements wird bestimmt durch Messen eines ersten Durchlassspannungsabfalls der wenigstens einen Diode unter einer ersten Testbedingung, Messen eines zweiten Durchlassspannungsabfalls der wenigstens einen Diode unter einer zweiten Testbedingung und Schätzen der Temperatur des diskreten Halbleiterbauelements auf der Basis der Differenz zwischen der ersten und zweiten Durchlassspannungsabfallmessung. A semiconductor die includes a single power transistor or power diode, a temperature sense diode formed close enough to the single power transistor or power diode to measure an accurate temperature. The temperature sense diode comprises first and second diodes or strings of diodes. A separate integrated circuit is operable to measure first and second voltage drops of both the first and second diodes or strings of diodes using same magnitude currents, and estimate the temperature of the single power transistor or power diode based on the difference between the first and second forward voltage drop measurements. An overall pn junction area of the first diode or string of first diodes is different from an overall pn junction area of the second diode or string of second diodes.