Optoelektronischer Halbleiterchip

Optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Seite (21) und einer zweiten Seite (23, 24) sowie einer dazwischen liegenden aktiven Zone (22), wobei die beiden Seiten unterschiedliche Leitfähigkeitstypen aufweisen, und- mindestens einer Durchkontaktierung (3), die von der ersten Seite (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch die zweite Seite (23, 24) elektrisch kontaktiert, wobei- die Durchkontaktierung (3) einen Basisbereich (31) aufweist, der als Zylinder, Kegelstumpf oder als Pyramidenstumpf geformt ist und der in lateraler Richtung (L), senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2), ringsum von einer elektrischen Isolationsschicht (32) umgeben ist,- die Durchkontaktierung (3) einen Kontaktbereich (33) aufweist, der als Kegelstumpf oder als Pyramidenstumpf oder als sphärischer oder asphärischer Körper geformt ist, der in Richtung parallel zur Wachstumsrichtung (G) dem Basisbereich (31) unmittelbar nachfolgt und der in direktem Kontakt mit der zweiten Seite (23, 24) steht, und- ein erster Flankenwinkel (a) des Basisbereichs (31) um mindestens 3° und um höchstens 25° größer ist als ein zweiter Flankenwinkel (b) des Kontaktbereichs (33), jeweils bezogen auf die laterale Richtung (L), sodass der erste Flankenwinkel (a) zwischen einschließlich 40° und 70° beträgt und der zweite Flankenwinkel (b) zwischen einschließlich 25° und 55° liegt, und- für eine Höhe h des Kontaktbereichs (33) und für einen mittleren Durchmesser d1 der Durchkontaktierung (3) an der Grenze zwischen dem Kontaktbereich (33) und dem Basisbereich (31) gilt: 7 ≤ d1/h ≤ 20. An optoelectronic semiconductor chip is disclosed. In an embodiment, the chip includes a semiconductor layer sequence with a first side, a second side and an active zone and at least one via electrically contacting the first side with the second side through the active zone, wherein the via has a base region including a cylinder, a truncated cone or a truncated pyramid, wherein the via is surrounded in a lateral direction by an electric insulation layer, wherein the via has a contact region including a truncated cone, a truncated pyramid, or a spherical or aspherical body, wherein the contract region directly follows the base region, wherein the contact region is in direct contact with the second side, wherein a first flank angle of the base region is different from a second flank angle of the contact region, and wherein the first and second fl