Halbleiterbauelemente und Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements

Ein Halbleiterbauelement (100), umfassend:eine Mehrzahl von Kompensationsregionen (110) einer vertikalen elektrischen Elementanordnung, wobei die Kompensationsregionen (110) aus der Mehrzahl von Kompensationsregionen (110) in einem Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements angeordnet sind, wobei die vertikale elektrische Elementanordnung eine Feldeffekttransistoranordnung ist;eine Mehrzahl von Drift-Regionen (120) der vertikalen elektrischen Elementanordnung, die in dem Halbleitersubstrat innerhalb einer Zellregion (102) des Halbleiterbauelements angeordnet ist, wobei die Mehrzahl von Drift-Regionen (120) und die Mehrzahl von Kompensationsregionen (110) in einer lateralen Richtung abwechselnd angeordnet sind; undeine nicht-ausräumbare Dotierungsregion (130), die sich lateral von einem Rand der Zellregion (102) in Richtung zu einem Rand (104) des Halbleitersubstrats erstreckt, wobei die nicht-ausräumbare Dotierungsregion (130) eine Dotierung aufweist, die durch an das Halbleiterbauelement während eines Sperrbetriebs angelegte Spannungen nicht-ausräumbar ist, wobei die Mehrzahl von Kompensationsregionen (110) und die nicht-ausräumbare Dotierungsregion (130) einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweisen und die Mehrzahl von Drift-Regionen (120) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist,wobei die nicht-ausräumbare Dotierungsregion (130) eine maximale Dotierungskonzentration (132) an einem Bereich nahe der Zellregion (102) und eine geringere Dotierungskonzentration (134) von zumindest 10 % der maximalen Dotierungskonzentration (132) der nicht-ausräumbaren Dotierungsregion (130) in einer lateralen Distanz von mehr als 20 µm zu einem nächstgelegenen Kontaktbereich zwischen dem Halbleitersubstrat und einer elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur der vertikalen elektrischen Elementanordnung innerhalb der Zellregion (102), in einer lateralen Distanz von mehr als einer Tiefe einer Drift-Zone oder einer Kompensationsregion (110) aus der Mehrzahl von Kompensationsregionen (110) zu einem nächstgelegenen Kontaktbereich zwischen dem Halbleitersubstrat und einer elektrisch leitfähigen Kontaktstruktur der vertikalen elektrischen Elementanordnung innerhalb der Zellregion (102) oder an einer Position, die sich näher an einem Rand (104) des Halbleitersubstrats befindet als eine durch eine unterste, elektrisch leitfähige Schicht implementierte Gate-Feldplatte, aufweist,wobei sich weitere hoch dotierte Dotierungsregionen (280) mit unterschiedlichen Distanzen zu der nicht-ausräumbare