Verfahren zum Prüfen von Halbleiterchips und Prüfgerät

Ein Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Prüfgeräts; Bereitstellen eines elektrisch leitenden Trägers; Bereitstellen eines Halbleitersubstrats, das eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche und eine Mehrzahl von Halbleiterchips aufweist, wobei die Halbleiterchips ein erstes Kontaktelement auf der ersten Hauptfläche und ein zweites Kontaktelement auf der zweiten Hauptfläche umfassen, Anordnen des Halbleitersubstrats auf dem Träger, wobei die zweite Hauptfläche dem Träger zugewandt ist, elektrisches Verbinden des Trägers mit einer Kontaktstelle, die auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist, und Prüfen eines Halbleiterchips durch elektrisches Verbinden des Prüfgeräts mit dem ersten Kontaktelement des Halbleiterchips und der Kontaktstelle. A method includes: providing a test apparatus; providing an electrically conductive carrier; providing a semiconductor substrate having a first main face, a second main face opposite to the first main face, and a plurality of semiconductor dies, the semiconductor dies including a first contact element on the first main face and a second contact element on the second main face; placing the semiconductor substrate on the carrier with the second main face facing the carrier; electrically connecting the carrier to a contact location disposed on the first main face; and testing a semiconductor die by electrically connecting the test apparatus with the first contact element of the semiconductor die and the contact location.