Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement

Verfahren (100) zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, aufweisend:Herstellen einer Öffnung (404) in einem ersten Bereich (401a) eines Halbleitersubstrats (401), wobei die Öffnung (404) mindestens eine Seitenwand (404a) und einen Boden (404b) hat (102);Implantieren (104) von Dotierstoff-Atomen in die mindestens eine Seitenwand (404a) und den Boden (404b) der Öffnung (404);Konfigurieren (106) mindestens eines Teils von einem zweiten Bereich (401b) des Halbleitersubstrats (401), seitlich angrenzend an den ersten Bereich (401a), als mindestens einen aus einem amorphen oder polykristallinen Bereich; undHerstellen (108) einer Verbindungsstruktur (412) über dem ersten und dem zweiten Bereich (401b) des Halbleitersubstrats, wobei die Verbindungsstruktur (412) die Öffnung (404) überspannt. A method for manufacturing a semiconductor device in accordance with various embodiments may include: forming an opening in a first region of a semiconductor substrate, the opening having at least one sidewall and a bottom; implanting dopant atoms into the at least one sidewall and the bottom of the opening; configuring at least a portion of a second region of the semiconductor substrate laterally adjacent to the first region as at least one of an amorphous or polycrystalline region; and forming an interconnect over at least one of the first and second regions of the semiconductor substrate.