Struktur und Verfahren für ein 3D-FinFET-Metallgate

Halbleiterstruktur (200) mit:einem Halbleitersubstrat (210) undeinem Gate-Stapel (220), der auf dem Halbleitersubstrat (210) angeordnet ist, wobei der Gate-Stapel (220) eine Schicht (222A) aus einem high-k-dielektrischen Material und mehrere verschiedenartige Metallschichten (254, 256A-E), die über...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Jang-Jian, Shiu-Ko, Wu, Chih-Nan, Wang, Ting-Chun, Lin, Chun Che
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Halbleiterstruktur (200) mit:einem Halbleitersubstrat (210) undeinem Gate-Stapel (220), der auf dem Halbleitersubstrat (210) angeordnet ist, wobei der Gate-Stapel (220) eine Schicht (222A) aus einem high-k-dielektrischen Material und mehrere verschiedenartige Metallschichten (254, 256A-E), die über der Schicht (222A) aus einem high-k-dielektrischen Material angeordnet sind, aufweist, wobei der Gate-Stapel (220) eine konvexe Deckfläche aufweist, welche eine Oberfläche jeder der mehreren verschiedenartigen Metallschichten (254, 256A-E) umfasst. The present disclosure provides a semiconductor structure in accordance with some embodiments. The semiconductor structure includes a semiconductor substrate; and a gate stack disposed on the semiconductor substrate; wherein the gate stack includes a high k dielectric material layer, and various metal layers disposed on the high-k dielectric material layer, wherein the gate stack has a convex top surface.