NICHT-VERTIKALE DURCHKONTAKTIERUNG IN EINEM PACKAGE

Package (102), das Folgendes aufweist:einen Bauelementchip (36);eine Durchkontaktierung (38), wobei die Durchkontaktierung (38) ein Sanduhrprofil hat;ein Vergussmaterial (44), das den Bauelementchip (36) und die Durchkontaktierung (38) vergießt, wobei eine Oberseite des Vergussmaterials (44) bündig mit einer Oberseite des Bauelementchips (36) ist;eine erste dielektrische Schicht (52), die das Vergussmaterial (44) und den Bauelementchip (36) überlappt, wobei eine Unterseite der dielektrischen Schicht (52) die Oberseite des Bauelementchips (36) und die Oberseite des Vergussmaterials (44) kontaktiert;eine zweite dielektrische Schicht (28), welche vom Vergussmaterial (44) und dem Bauelementchip (36) überlappt wird;wobei die Durchkontaktierung (38) einen Durchkontaktierungskörper (38B) und ein an diesen angrenzendes und in die zweite dielektrische Schicht (28) hineinragendes Fußelement aufweist;eine Metallkeimschicht (30), welche Teil der Durchkontaktierung (38) ist, wobei die Metallkeimschicht (30) einen die Unterseite des Fußelements bildenden ersten Abschnitt, einen teilweise die Unterseite des Durchkontaktierungskörpers (38B) bildenden zweiten Abschnitt und einen die Seitenwände des Fußelements bedeckenden dritten Abschnitt aufweist; undmehrere Umverteilungsleitungen (54), die sich in die erste dielektrische Schicht (52) erstrecken, um elektrisch mit dem Bauelementchip (36) und der Durchkontaktierung (38) gekoppelt zu werden. A package includes a device die, a through-via having a sand timer profile, and a molding material molding the device die and the through-via therein, wherein a top surface of the molding material is substantially level with a top surface of the device die. A dielectric layer overlaps the molding material and the device die. A plurality of redistribution lines (RDLs) extends into the dielectric layer to electrically couple to the device die and the through-via.