Halbleiterstruktur und Verfahren zur Verarbeitung eines Trägers

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Halbleiterstruktur umfassen: ein erstes Source/Draingebiet und ein zweites Source/Draingebiet; ein Bodygebiet, das zwischen dem ersten Source/Draingebiet und dem zweiten Source/Draingebiet angeordnet ist, wobei das Bodygebiet ein Kerngebiet und wenigstens ein Randgebiet umfasst, welches das Kerngebiet wenigstens teilweise umgibt; ein dielektrisches Gebiet, das neben dem Bodygebiet liegt und ausgelegt ist, einen Stromfluss durch das Bodygebiet in einer Breitenrichtung des Bodygebiets zu begrenzen, wobei das wenigstens eine Randgebiet zwischen dem Kerngebiet und dem dielektrischen Gebiet eingerichtet ist; und eine Gatestruktur, die ausgelegt ist, das Bodygebiet zu steuern; welche Gatestruktur ausgelegt ist, eine erste Schwellenspannung für das Kerngebiet des Bodygebiets und eine zweite Schwellenspannung für das wenigstens eine Randgebiet des Bodygebiets vorzusehen, wobei die erste Schwellenspannung kleiner oder gleich der zweiten Schwellenspannung ist. According to various embodiments, a semiconductor structure may include: a first source/drain region and a second source/drain region; a body region disposed between the first source/drain region and the second source/drain region, the body region including a core region and at least one edge region at least partially surrounding the core region; a dielectric region next to the body region and configured to limit a current flow through the body region in a width direction of the body region, wherein the at least one edge region is arranged between the core region and the dielectric region; and a gate structure configured to control the body region; wherein the gate structure is configured to provide a first threshold voltage for the core region of the body region and a second threshold voltage for the at least one edge region of the body region, wherein the first threshold voltage is less than or equal to the second threshold voltage.