Halbleiter-Bauelement mit einer Passivierungsschicht und Verfahren zum Herstellen eines solchen

Halbleiterbauelement miteinem Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Oberfläche (101);einer Kontaktelektrode (2) auf der ersten Oberfläche (101); undeiner Passivierungsschicht (3), die auf der ersten Oberfläche (101) benachbart zu der Kontaktelektrode (2) angeordnet ist und die die Kontaktelektrode (2) teilweise überlappt,wobei die Passivierungsschicht (3) einen Schichtstapel mit einer ersten Schicht (31) auf der ersten Oberfläche (101), einer zweiten Schicht (32) auf der ersten Schicht (31) und einer dritten Schicht (33) auf der zweiten Schicht (32) aufweist,wobei die erste Schicht (31) ein Oxid aufweist, die zweite Schicht (32) ein Nitrid aufweist und die dritte Schicht (33) ein Imid aufweist,wobei die zweite Schicht (32) und die dritte Schicht (33) jeweils eine innere Kante (321, 331) und eine äußere Kante (322, 332) aufweisen,wobei die innere Kante (331) der dritten Schicht (33) entfernt zu der inneren Kante (321) der zweiten Schicht (32) angeordnet ist undwobei die äußere Kante (332) der dritten Schicht (33) entfernt zu der äu-ßeren Kante (322) der zweiten Schicht (32) angeordnet ist. A semiconductor device includes a semiconductor body comprising a first surface and an edge surface, a contact electrode formed on the first surface and comprising an outer edge side, and a passivation layer section conformally covering the outer edge side of the contact electrode. The passivation layer section is a multi-layer stack comprising a first layer, a second layer, and a third layer. Each of the first, second and third layers include outer edge sides facing the edge surface and opposite facing inner edge sides. The outer edge side of the contact electrode is disposed laterally between the inner edge sides and the outer edge sides of each layer.