Gruppe-III-Nitrid-basierte ESD-Schutzvorrichtung

Eine ESD (elektrostatische Entladungs)-Schutzvorrichtung umfasst eine erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode und eine zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode, die mit der ersten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode in einer antiparallelen Anordnung verbunden ist, die ausgelegt ist, Spannungsbegrenzung bei 5V ode...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	WERTHMANN, HUBERT
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS GENERATION SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Eine ESD (elektrostatische Entladungs)-Schutzvorrichtung umfasst eine erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode und eine zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode, die mit der ersten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode in einer antiparallelen Anordnung verbunden ist, die ausgelegt ist, Spannungsbegrenzung bei 5V oder weniger unter Durchlassvorspannung entweder der ersten oder der zweiten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode für transienten in sowohl die Durchlass- als auch die Sperrrichtung bereitzustellen. Ein entsprechendes Verfahren zur Herstellung der ESD-Schutzvorrichtung wird ebenfalls bereitgestellt. An ESD (electrostatic discharge) protection device includes a first III-nitride p-i-n diode and a second III-nitride p-i-n diode connected to the first III-nitride p-i-n diode in an antiparallel arrangement configured to provide voltage clamping at 5V or less under forward bias of either the first or second III-nitride p-i-n diode for transient current in both forward and reverse directions. A corresponding method of manufacturing the ESD protection device is also provided.