Mehrfach-Solarzelle

Stapelförmige Mehrfach-Solarzelle mit einer ersten Teilzelle, wobei die erste Teilzelle überwiegend Germanium aufweist, und mit einer zweiten Teilzelle, wobei die zweite Teilzelle eine größere Bandlücke als die erste Teilzelle aufweist, und mit einer dritten Teilzelle, wobei die dritte Teilzelle eine größere Bandlücke als die zweite Teilzelle aufweist, und jede der Teilzellen einen Emitter und eine Basis aufweist, und wobei die zweite Teilzelle eine Schicht mit einer Verbindung mit wenigstens den Elementen GaInAsP umfasst und die Dicke der Schicht größer als 100 nm ist und die Schicht als Teil des Emitters und/oder als Teil der Basis und/oder als Teil der zwischen Emitter und Basis liegenden Raumladungszone ausgebildet ist, die dritte Teilzelle eine Schicht mit einer Verbindung mit wenigstens den Elementen GaInP aufweist und die Dicke der Schicht größer als 100 nm ist und die Schicht als Teil des Emitters und/oder als Teil der Basis und/oder als Teil der zwischen Emitter und Basis liegenden Raumladungszone ausgebildet ist, und bei der zweiten Teilzelle der Phosphor-Gehalt der Schicht größer 1% und kleiner 45% ist und der Indium-Gehalt der Schicht kleiner 50% ist, und die Gitterkonstante der Schicht kleiner 5,84 Å ist, und die Gitterkontante der Schicht der dritten Teilzelle sich von der Gitterkontante der Schicht der zweiten Teilzelle um weniger als 0,2% unterscheidet, und zwischen zwei Teilzellen der Mehrfach-Solarzelle kein Halbleiterbond ausgebildet ist. A stacked multi-junction solar cell having a first subcell and second subcell, the second subcell having a larger band gap than the first subcell. A third subcell has a larger band gap than the second subcell, and each of the subcells include an emitter and a base. The second subcell has a layer which includes a compound formed at least the elements GaInAsP, and a thickness of the layer is greater than 100 nm, and the layer is formed as part of the emitter and/or as part of the base and/or as part of the space-charge zone situated between the emitter and the base. The third subcell has a layer including a compound formed of at least the elements GaInP, and the thickness of the layer is greater than 100 nm.