Verfahren zur dynamischen Begrenzung der Junction-Temperatur innerhalb eines mikroelektronischen integrierten Schaltkreises

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur dynamischen Begrenzung der Junction-Temperatur innerhalb eines mikroelektronischen integrierten Schaltkreises. Es werden zwei temperaturabhängige Signale (REF_P, REF_N) erzeugt, die einen gegenläufigen Temperaturkoeffizienten besitzen. Eines der Signale wird...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Kapoor, Niron
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	CONTROLLING CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER ELECTRICITY EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS GENERATION MEASURING MEASURING QUANTITY OF HEAT MEASURING TEMPERATURE PHYSICS REGULATING SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES TESTING THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur dynamischen Begrenzung der Junction-Temperatur innerhalb eines mikroelektronischen integrierten Schaltkreises. Es werden zwei temperaturabhängige Signale (REF_P, REF_N) erzeugt, die einen gegenläufigen Temperaturkoeffizienten besitzen. Eines der Signale wird gegenüber dem anderen Signal verzögert. Die beiden Signale (REF_P, REF_N) werden miteinander verglichen. Sofern die Differenz der beiden Signale einen Schwellwert (REF_DYN_OVT) überschreitet, wird eine dynamische Übertemperaturbedindung erkannt. Die Erkennung von Übertemperaturbedingungen wird darüber hinaus durch einen zusätzlichen Schwellwert (REF_OVT_LO) plausibilisiert. Übertemperaturbedingungen werden nur erkannt, wenn die Plausibilisierung mittels des zusätzlichen Schwellwerts (REF_OVT_LO) erfolgreich ist.