Überprüfung von Randschäden

Beschrieben wird ein Leistungshalbleiterbauelement (1). Das Halbleiterbauelement (1) umfasst einen Halbleiterkörper (11), wobei der Halbleiterkörper (11) ein aktives Halbleitergebiet (111) und ein das aktive Halbleitergebiet (111) umgebendes Randhalbleitergebiet (112) umfasst, wobei das aktive Halbleitergebiet (111) ein aktives Oberflächengebiet (121) und das Randhalbleitergebiet (112) ein Randoberflächengebiet (122) aufweist. Das Halbleiterbauelement (1) umfasst außerdem eine Teststruktur (13) zum kontaktlosen Testen des Randhalbleitergebiets (112), wobei die Teststruktur (13) einen elektrisch leitfähigen Pfad (131) umfasst, der auf dem Randoberflächengebiet (122) angeordnet ist, und wobei die Teststruktur (13) ausgebildet ist zum Extrahieren von Energie aus einem beabstandet erzeugten elektromagnetischen Radiofrequenz-Testfeld (5). A power semiconductor device includes a semiconductor body. The semiconductor body includes an active semiconductor region and a perimeter semiconductor region surrounding the active semiconductor region. The active semiconductor region has an active surface area, and the perimeter semiconductor region has a perimeter surface area. The power semiconductor device further includes a test structure for contactless testing of the perimeter semiconductor region. The test structure includes an electrically conductive path mounted on the perimeter surface area. The test structure is configured to extract energy from a remotely generated electromagnetic radio frequency test field.