Bestimmung des Kohlenstoffgehalts in einem Halbleitermaterial

Ein Verfahren zur Bestimmung des Kohlenstoffgehalts einer Messprobe (1), die ein hochreines Halbleitermaterial, insbesondere mono- oder polykristallines Silizium, und 1015 bis 1017 Kohlenstoffatome pro Kubikzentimeter enthält, wird vorgeschlagen. Die Messprobe (1) wird in eine Messkammer (2) einer Messvorrichtung (100) eingebracht und in dieser in einer sauerstoffhaltigen Gasatmosphäre induktiv erwärmt und aufgeschmolzen, so dass in der Messprobe (1) enthaltener Kohlenstoff aus der Messprobe (1) ausdiffundiert, wobei der aus der Messprobe (1) ausdiffundierte Kohlenstoff mit Sauerstoff der sauerstoffhaltigen Gasatmosphäre zu wenigstens einem Oxidationsprodukt umgesetzt wird, dessen Menge bestimmt und als ein Maß für den in der Messprobe enthaltenen Kohlenstoff verwendet wird. Die Verwendung eines hochdotierten hochreinen Halbleitermaterials, insbesondere von hochdotiertem mono- oder polykristallinem Silizium, als Zuschlagsstoff zur Herstellung einer Messprobe (1) ist ebenfalls Gegenstand der vorliegenden Erfindung, ebenso wie das Vorwärmen einer entsprechenden Messprobe (1) zum Erreichen einer ausreichenden Eigenleitfähigkeit für eine induktive Ankopplung in der Messvorrichtung (100).