Verfahren zum Bilden einer Halbleiterschicht oder -struktur

Verfahren zum Bilden einer Halbleiterstruktur, wobei das Verfahren aufweist:- Bilden einer Oxidschicht (102) auf einem Substrat (100, 201);- Bilden einer Vertiefung (104, 204) in der Oxidschicht und dem Substrat; und- Bilden einer epitaxial aufgewachsenen unteren Halbleiterstruktur (106, 206) in der...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Wang, Wei-E, Rodder, Mark S, Bowen, Robert C
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren zum Bilden einer Halbleiterstruktur, wobei das Verfahren aufweist:- Bilden einer Oxidschicht (102) auf einem Substrat (100, 201);- Bilden einer Vertiefung (104, 204) in der Oxidschicht und dem Substrat; und- Bilden einer epitaxial aufgewachsenen unteren Halbleiterstruktur (106, 206) in der Vertiefung selektiv auf einer Oberfläche des Substrats und nicht auf einer Oberfläche der Oxidschicht derart, dass sich die untere Halbleiterstruktur an einer Grenzfläche zwischen der Oxidschicht und dem Substrat in Kontakt mit einer Seitenwand des Substrats befindet und eine Oberseite eines Hohlraums in der Vertiefung in dem Substrat definiert.