Magnetfeldsensoranordnung, entsprechendes Herstellungsverfahren und Betriebsverfahren

Die vorliegende Erfindung schafft eine Magnetfeldsensoranordnung, ein entsprechendes Herstellungsverfahren sowie ein Betriebsverfahren. Die Magnetfeldsensoranordnung umfasst ein ASIC-Substrat (AC; AC') mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS) sowie eine Hallsensoreinrichtung (H; H'; H''), welche einen aus einem III-V-Halbleitermaterial gebildeten Hallsensorbereich (HS; HS'; HS'') aufweist, der in eine auf die Vorderseite (VS) aufgebrachte Isolationsschichtenanordnung (I0, I1, I2, I3; I0, I1, I2, I3, I4, I5) eingebettet ist. Der Hallsensorbereich (HS; HS'; HS'') ist über eine durch die Isolationsschichtenanordnung (I0, I1, I2, I3; I0, I1, I2, I3, I4, I5) geführte Leiterbahneinrichtung (L2) elektrisch mit einer im ASIC-Substrat (AC; AC') gebildeten Hallsensor-Auswerteschaltungseinrichtung (101) verbunden. The present invention relates to a magnetic field sensor arrangement, to a corresponding manufacturing method and to an operating method. The magnetic field sensor arrangement comprises an ASIC substrate (AC; AC) having a front face (VS) and a rear face (RS) and a hall sensor device (H; Η'; H") which has a hall sensor region (HS; HS'; HS") that consists of a III-V semiconductor material, said region being embedded in an insulation layer arrangement (I0, I1, I2, I3; I0, I1, I2, I3, I4, I5) applied to the front face (VS). The hall sensor region (HS; HS'; HS") is electrically connected to a hall sensor evaluation circuit device (101) formed in the ASIC substrate (AC; AC'), via a conductor unit (L2) guided through the insulation layer arrangement (I0, I1, I2, I3; I0, I1, I2, I3, I4, I5).