Halbleitervorrichtung mit Metallstruktur in einer äussersten Verdrahtungsschicht und Via

Halbleitervorrichtung, umfassendeine erste Force-Leitung (401), die elektrisch mit einer Metallstruktur (305) in einer äußersten Verdrahtungsschicht (300) verbunden ist, wobei ein Sense-Via (311) sich von der Metallstruktur (305) durch ein äußerstes Zwischenschichtdielektrikum (210) erstreckt;eine e...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Kampen, Christian, Kadow, Christoph, Spitzer, Andreas
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Halbleitervorrichtung, umfassendeine erste Force-Leitung (401), die elektrisch mit einer Metallstruktur (305) in einer äußersten Verdrahtungsschicht (300) verbunden ist, wobei ein Sense-Via (311) sich von der Metallstruktur (305) durch ein äußerstes Zwischenschichtdielektrikum (210) erstreckt;eine erste Sense-Leitung (411), die von der ersten Force-Leitung (401) getrennt und elektrisch mit der Metallstruktur (305) verbunden ist;eine zweite Force-Leitung (402), die elektrisch mit dem Sense-Via (311) über eine Basisoberfläche (311a) des Sense-Vias (311) verbunden ist, wobei die Basisoberfläche (311a) von der Metallstruktur (305) abgewandt und zu einem Halbleiterkörper (100) ausgerichtet ist, der halbleitende Teile von wenigstens einem Halbleiterelement (190) umfasst;eine zweite Sense-Leitung (412), die elektrisch mit dem Sense-Via (311) durch die Basisoberfläche (311a) verbunden ist; undKontaktvias (319), die sich von der Metallstruktur (305) durch das äußerste Zwischenschichtdielektrikum (210) erstrecken und elektrisch mit dem wenigstens einen Halbleiterelement (190) verbunden sind und durch die im eingeschalteten Zustand der Halbleitervorrichtung ein Laststrom fließt.