Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (10) mit den folgenden Schritten in der angegebenen Reihenfolge:A) Anordnen zumindest eines Halbleiterchips (2) an einem Träger (1),B) Aufbringen eines elektrisch isolierenden Fotolacks (3) auf eine Oberseite (1a) des Trägers (1) und auf den Halbleiterchip (2),C) Aushärten des Fotolacks (3) mit einem Ausheizschritt,D) Strukturieren des Fotolacks (3) durch Belichtung,F) Entwicklung des Fotolacks (3), wobei der Fotolack (3) zumindest von einer Strahlungsdurchtrittsfläche (2b) des Halbleiterchips (2) entfernt wird,G) weiteres Aushärten des Fotolacks (3) mit einem Ausheizschritt mit einem abschließenden Aufheizen auf eine Temperatur von zumindest 200 °C, die höher ist als im Schritt c), undH) Aufbringen einer elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) auf den Fotolack (3), wobei die elektrisch leitende Kontaktschicht (4) stellenweise einen Abstand (A) zu einer Randfläche (3a) des Fotolacks (3) aufweist, die dem Halbleiterchip (2) zugewandt ist, wobei die dem Halbleiterchip (2) zugewandte Randfläche (3a) stellenweise freiliegt. The invention provides an optoelectronic semiconductor component and a method for producing an optoelectronic semiconductor component (10), comprising the following steps: A) arranging at least one semiconductor chip (2) on a carrier (1), B) applying an electrically insulating photoresist (3) to a top side (1a) of the carrier (1) and to the semiconductor chip (2), C) curing the photoresist (3) with a baking step, D) patterning the photoresist (3) by exposure, F) developing the photoresist (3), wherein the photoresist (3) is removed at least from a radiation penetration surface (2b) of the semiconductor chip (2), G) again curing the photoresist (3) with a baking step, and H) applying an electrically conductive contact layer (4) to the photoresist (3), wherein the electrically conductive contact layer (4) is in places at a distance (A) from a marginal surface (3a) of the photoresist (3) which faces towards the semiconductor chip (2), wherein the marginal surface (3a) facing towards the semiconductor chip (2) is exposed in places.